2SCR293P5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SCR293P5

Código: NV

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 320 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 270

Encapsulados: SOT89

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2SCR293P5 datasheet

 ..1. Size:1440K  rohm
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2SCR293P5

2SCR293P5 Datasheet Middle Power Transistors (30V / 1A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO 30V IC 1A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR293P5. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=500mA/25mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER,

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2SCR293P5

2SCR293P 2SCR293PFRA Datasheet NPN 1.0A 30V Middle Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline MPT3 Parameter Value VCEO 30V Base Collector IC 1.0A Emitter 2SCR293PFRA 2SAR293P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary PNP Types 2SAR293P 2SAR293PFRA 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC/IB=500mA/25mA) 4) Lead Free/RoHS

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2SCR293P5

Midium Power Transistors (30V / 1A) 2SCR293P Structure Dimensions (Unit mm) NPN Silicon epitaxial planar transistor MPT3 (SC-63) Features Low saturation voltage VCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA) (1) (2) (3) (1) Base Applications (2) Collector Abbreviated symbol NV (3) Emitter Driver Packaging specifications Inner circuit (U

Otros transistores... 2SAR552P5, 2SAR553P5, 2SAR553PHZG, 2SAR554P5, 2SAR572D3, 2SC4081U3, 2SC4081U3HZG, 2SC5876U3, 2SC2073, 2SCR346P, 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3