2SCR293P5 Todos los transistores

 

2SCR293P5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SCR293P5
   Código: NV
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 320(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 270
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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2SCR293P5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1440K  rohm
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2SCR293P5

2SCR293P5DatasheetMiddle Power Transistors (30V / 1A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO30VIC1AMPT3lFeatures lInner circuitl l1) Suitable for Middle Power Driver.2) Complementary PNP Types : 2SAR293P5.3) Low VCE(sat)VCE(sat)=350mV(Max.).(IC/IB=500mA/25mA)lApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER,

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2SCR293P5

2SCR293P2SCR293PFRADatasheetNPN 1.0A 30V Middle Power TransistorAEC-Q101 QualifiedlOutline MPT3Parameter ValueVCEO30VBase Collector IC1.0AEmitter 2SCR293PFRA2SAR293P lFeatures(SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver2) Complementary PNP Types : 2SAR293P2SAR293PFRA3) Low VCE(sat)VCE(sat)=0.35V(Max.)(IC/IB=500mA/25mA)4) Lead Free/RoHS

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2SCR293P5

Midium Power Transistors (30V / 1A) 2SCR293P Structure Dimensions (Unit : mm)NPN Silicon epitaxial planar transistorMPT3(SC-63) FeaturesLow saturation voltageVCE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 500mA / 25mA)(1) (2) (3)(1) Base Applications(2) CollectorAbbreviated symbol : NV(3) EmitterDriver Packaging specifications Inner circuit (U

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History: 2SD1117 | KSR2108 | BD177 | C150 | HEPS0005 | MP42 | 2N3207

 

 
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