2SC4177L4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC4177L4  📄📄 

Código: L4

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT323

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2SC4177L4 datasheet

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2SC4177L4

2SC4177 NPN Plastic-Encapsulate Transistors Encapsulate Transistors FEATURES High DC Current Gain Complementary to 2SA1611 High Voltage APPLICATIONS General Purpose Amplification MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 unless otherwise specified) *Pulse test

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2SC4177L4

2SC4177 2SC4177 2SC4177 2SC4177 TRANSISTOR(NPN) 2SC417 7 FEATURES SOT 323 3 High DC Current Gain Complementary to 2SA1611 High Voltage 1. BASE 1 2. EMITTER APPLICATIONS 2 3. COLLECTOR General Purpose Amplification MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 60 V CBO V Collector-Emitter Vo

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2SC4177L4

2SC4177 0.1A , 60V NPN Plastic-Encapsulate Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURES High DC Current Gain. A L High Voltage. 3 3 Complementary to 2SA1611 Top View C B 1 1 2 2 K E APPLICATIONS General Purpose Amplification D H J F G CLASSIFICATION OF hFE M

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