KTC3880Y Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KTC3880Y  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 600 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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KTC3880Y datasheet

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KTC3880Y

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KTC3880Y

SEMICONDUCTOR KTC3880S TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATION. VHF BAND AMPLIFIER APPLICATION. E L B L FEATURES DIM MILLIMETERS Small Reverse Transfer Capacitance _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 Cre=0.7pF(Typ.) C 1.30 MAX 2 Low Noise Figure NF=2.5dB(Typ.) (f=100MHz). 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 1 G 1.90

 7.2. Size:699K  blue-rocket-elect
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KTC3880Y

KTC3880 Rev.F Apr.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , Small reverse transfer capacitance, low noise figure. / Applications High frequency low noise amplifier. /

 7.3. Size:566K  china
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KTC3880Y

SEMICONDUCTOR KTC3880LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Low Noise Figure NF=2.5DB TYP f=100MHZ Package SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Vcbo 40 V Collector-Emitter Voltage Vceo 30 V Emitter-Base Voltage Vebo 4 V Collector Curren

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