850AT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 850AT
Código: 2E
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6(max) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
Paquete / Cubierta: SOT523
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850AT Datasheet (PDF)
846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf
BC846T-BC850TNPN Silicon Epitaxial Transistorfor switching and amplifier applicationsOAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage BC846T 80VCBOBC847T, BC850T 50 VBC848T, BC849T 30Collector Emitter Voltage BC846T 65VCEOBC847T, BC850T 45 VBC848T, BC849T 30Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6VEBO VBC848T, BC849T, BC850T 5
p0850at.pdf
P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1
p0850atf.pdf
P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
