850AT Todos los transistores

 

850AT . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 850AT
   Código: 2E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 110
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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850AT Datasheet (PDF)

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 846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf pdf_icon

850AT

BC846T-BC850TNPN Silicon Epitaxial Transistorfor switching and amplifier applicationsOAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage BC846T 80VCBOBC847T, BC850T 50 VBC848T, BC849T 30Collector Emitter Voltage BC846T 65VCEOBC847T, BC850T 45 VBC848T, BC849T 30Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6VEBO VBC848T, BC849T, BC850T 5

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850AT

P0850ATN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current1

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850AT

P0850ATFN-Channel Enhancement Mode MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS RDS(ON) ID500V 0.85 @VGS = 10V 8ATO-220FABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted)PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSVDSDrain-Source Voltage 500VVGSGate-Source Voltage 30TC = 25 C8IDContinuous Drain Current2TC = 100 C5AIDM30Pulsed Drain Current

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