850AT - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

850AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 850AT
   Маркировка: 2E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
   Корпус транзистора: SOT523

 Аналоги (замена) для 850AT

 

850AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  slkor
 846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf pdf_icon

850AT

BC846T-BC850T NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846T 80 VCBO BC847T, BC850T 50 V BC848T, BC849T 30 Collector Emitter Voltage BC846T 65 VCEO BC847T, BC850T 45 V BC848T, BC849T 30 Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6 VEBO V BC848T, BC849T, BC850T 5

 0.1. Size:391K  unikc
 p0850at.pdf pdf_icon

850AT

P0850AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1

 0.2. Size:463K  unikc
 p0850atf.pdf pdf_icon

850AT

P0850ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current

Другие транзисторы... 847BT , 847CT , 848AT , 848BT , 848CT , 849AT , 849BT , 849CT , 2SC2625 , 850BT , 850CT , 857AW , 857BW , 858AW , 858BW , BCP68-16 , BFG425W-TOB .

 

 
Back to Top

 


 
.