850AT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 850AT  📄📄 

Маркировка: 2E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110

Корпус транзистора: SOT523

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 850AT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

850AT даташит

 ..1. Size:724K  slkor
 846at 846bt 846ct 847at 847bt 847ct 848at 848bt 848ct 849at 849bt 849ct 850at 850bt 850ct.pdf pdf_icon

850AT

BC846T-BC850T NPN Silicon Epitaxial Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (T = 25 C) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage BC846T 80 VCBO BC847T, BC850T 50 V BC848T, BC849T 30 Collector Emitter Voltage BC846T 65 VCEO BC847T, BC850T 45 V BC848T, BC849T 30 Emitter Base Voltage BC846T, BC847T 6 VEBO V BC848T, BC849T, BC850T 5

 0.1. Size:391K  unikc
 p0850at.pdf pdf_icon

850AT

P0850AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current1

 0.2. Size:463K  unikc
 p0850atf.pdf pdf_icon

850AT

P0850ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 500V 0.85 @VGS = 10V 8A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 500 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 8 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 5 A IDM 30 Pulsed Drain Current

Другие транзисторы: 847BT, 847CT, 848AT, 848BT, 848CT, 849AT, 849BT, 849CT, 2SC2625, 850BT, 850CT, 857AW, 857BW, 858AW, 858BW, BCP68-16, BFG425W-TOB