2SA1141R Todos los transistores

 

2SA1141R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1141R
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 115 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 115 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 390 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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2SA1141R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  cn sptech
 2sa1141r 2sa1141q.pdf pdf_icon

2SA1141R

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1141DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -115V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2681APPLICATIONSAudio frequency power amplifierHigh frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -115 VCBO

 7.1. Size:32K  no
 2sa1141 2sc2681 2sc2681.pdf pdf_icon

2SA1141R

 7.2. Size:158K  jmnic
 2sa1141.pdf pdf_icon

2SA1141R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1141 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SC2681 High transition frequency APPLICATIONS Audio frequency power amplifier High frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVC

 7.3. Size:222K  inchange semiconductor
 2sa1141.pdf pdf_icon

2SA1141R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1141DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -115V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC2681Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifierHigh frequency power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARA

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