2SC3835O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SC3835O

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 200 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 20 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 110 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO3PN

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2SC3835O datasheet

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2SC3835O

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2SC3835O

UTC 2SC3835 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCH NPN TRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DC converter,and general purpose. 1 TO-3PN 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage VEBO 8 V Base Current IB 3 A Collector Current 7 A

 7.2. Size:117K  jmnic
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2SC3835O

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistor 2SC3835 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

 7.3. Size:28K  sanken-ele
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2SC3835O

2SC3835 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) Application Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Ratings Unit Unit Symbol Conditions Ratings 0.2 4.8 0.4 15.6 VCBO 200 VCB=200V 100max A 0.1 V ICBO 9.6 2.0 VCEO 120 IEBO

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