Справочник транзисторов. 2SC3835O

 

Биполярный транзистор 2SC3835O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3835O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для 2SC3835O

 

 

2SC3835O Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  cn sptech
2sc3835o 2sc3835y 2sc3835g.pdf

2SC3835O
2SC3835O

 7.1. Size:120K  utc
2sc3835.pdf

2SC3835O
2SC3835O

UTC 2SC3835 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCH NPN TRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DC converter,and general purpose. 1TO-3PN1: BASE 2:COLLECTOR 3: EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C) PARAMETER SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 200 VCollector-Emitter Voltage VCEO 120 VEmitter-Base Voltage VEBO 8 VBase Current IB 3 ACollector Current 7 A

 7.2. Size:117K  jmnic
2sc3835.pdf

2SC3835O
2SC3835O

Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistor 2SC3835 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBO

 7.3. Size:28K  sanken-ele
2sc3835.pdf

2SC3835O

2SC3835Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor)Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions MT-100(TO3P)Symbol Ratings UnitUnit Symbol Conditions Ratings0.24.80.415.6VCBO 200 VCB=200V 100max A 0.1V ICBO9.6 2.0VCEO 120 IEBO

 7.4. Size:1285K  cn sps
2sc3835t4tl.pdf

2SC3835O
2SC3835O

2SC3835T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@ I =3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collec

 7.5. Size:222K  inchange semiconductor
2sc3835.pdf

2SC3835O
2SC3835O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3835DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@ I =3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in humidifier , DC/DC converter andgeneral purpose appl

 7.6. Size:312K  inchange semiconductor
2sc3835g.pdf

2SC3835O
2SC3835O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3835G DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFEAPPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top