2SB772SQ-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB772SQ-E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT89

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2SB772SQ-E datasheet

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2SB772SQ-E

2SB772SQ Silicon PNP Power Transistor Features High current output up to 3A Low saturation voltage Complement to 2SD882SQ SOT-89 PIN1 Base PIN 2 Collector PIN 3 Emitter Applications These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbo

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2SB772SQ-E

2SB772SQ Silicon PNP Power Transistor Features High current output up to 3A Low saturation voltage Complement to 2SD882SQ SOT-89 PIN1 Base PIN 2 Collector PIN 3 Emitter Applications These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise specified) Parameter Symbol

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2SB772SQ-E

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2SB772SQ-E

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