2SC2713-BL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC2713-BL
Código: DL
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
Paquete / Cubierta: SC59
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC2713-BL
2SC2713-BL Datasheet (PDF)
2sc2713-gr 2sc2713-bl.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage V = 120 V CEO Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200 to 700 FE FE Low noise NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small pack
2sc2713.pdf
2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage VCEO = 120 V Excellent h linearity h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200 700 FE FE Low noise NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small package
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SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC2713 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High voltage VCEO = 120 V High hFE hFE = 200 700 Low noise NF = 1dB (typ.), 10dB (max) 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 Small package 1.9+0.1 -0.1 Complementary to 2SA1163 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Otros transistores... 2SA1588-Y , 2SA1721O , 2SA1721R , 2SA1832GR , 2SA1832O , 2SA1832Y , 2SA2154CT-GR , 2SA2154CT-Y , 2SB817 , 2SC2713-GR , 2SC3138-O , 2SC3138-Y , 2SC4117BL , 2SC4117GR , 2SC4213-A , 2SC4213-B , 2SC5066O .
History: 2SB356 | PDTA144WK
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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