8550E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 8550E
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12(typ) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TO92
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8550E Datasheet (PDF)
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8550 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. The transistor is subdivided into four groups, B, C, D and E, according to its DC current gain. 1. Emitter 2. Base 3. Collector TO-92 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Co
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Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd. SS8550Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92PNP Silicon COLLECTOR32BASE11. EMITTER 2312. BASEEMITTER3. COLLECTORABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating Symbol SS8550 UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VdcVCBOCollector-Base Voltage -40 VdcVEBOEmitter-Base Voltage -5.0 VdcCollector CurrentAdcIC -1.5Total De
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