MMBT5401-HAF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMBT5401-HAF
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 max pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO236
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MMBT5401-HAF datasheet
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MMBT5401-HAF PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant 1. Base 2. Emitter 3. Collector TO-236 Plastic Package Applications For high voltage amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T = 25 ) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 160 V CBO Collector Emitter Voltage -V 150 V CEO Emitt
mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT5401 MMBT5401 SOT-23 PNP TRANSISTOR 3 FEATURES Complementary to MMBT5551 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Symbol Parameter Value Unit 1.BASE Collector Base Voltage VCBO -160 V 2.EMITTER 3.COLLECTOR Collec
mmbt5401 mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf
MMBT5401 SOT-23 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter 1 3.Collector High Voltage Transistors Pb-Free Packages are Available Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -160 V Collector-emitter voltage VCEO -150 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current-continuous IC -0.6 A Collector P
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History: MMBT8050DW
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Liste
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