MMBT5401-HAF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT5401-HAF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для MMBT5401-HAF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT5401-HAF даташит

 ..1. Size:950K  semtech
 mmbt5401-haf.pdf pdf_icon

MMBT5401-HAF

MMBT5401-HAF PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant 1. Base 2. Emitter 3. Collector TO-236 Plastic Package Applications For high voltage amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T = 25 ) a Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 160 V CBO Collector Emitter Voltage -V 150 V CEO Emitt

 4.1. Size:920K  cn salltech
 mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf pdf_icon

MMBT5401-HAF

 4.2. Size:786K  cn shandong jingdao microelectronics
 mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf pdf_icon

MMBT5401-HAF

Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT5401 MMBT5401 SOT-23 PNP TRANSISTOR 3 FEATURES Complementary to MMBT5551 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Symbol Parameter Value Unit 1.BASE Collector Base Voltage VCBO -160 V 2.EMITTER 3.COLLECTOR Collec

 4.3. Size:498K  cn yfw
 mmbt5401 mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf pdf_icon

MMBT5401-HAF

MMBT5401 SOT-23 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter 1 3.Collector High Voltage Transistors Pb-Free Packages are Available Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -160 V Collector-emitter voltage VCEO -150 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current-continuous IC -0.6 A Collector P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 9013I, 9014A, 9014B, 9014C, 9018G, BCX56-10U, BCX56-16U, MMBT3331, 2N5401, MMBT8050CW, MMBT8050DW, MMBT9012H-H23, MMBT9012H-H35, MMBT9013G, MMBT9013H, MMBT9013H-H23, MMBT9014B