Биполярный транзистор MMBT5401-HAF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MMBT5401-HAF
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для MMBT5401-HAF
MMBT5401-HAF Datasheet (PDF)
mmbt5401-haf.pdf
MMBT5401-HAF PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor Features Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant 1. Base 2. Emitter 3. Collector TO-236 Plastic Package Applications For high voltage amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T = 25 ) aParameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 160 V CBOCollector Emitter Voltage -V 150 V CEOEmitt
mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT5401MMBT5401SOT-23PNP TRANSISTOR3FEATURES Complementary to MMBT5551 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO -160 V2.EMITTER3.COLLECTORCollec
mmbt5401 mmbt5401-l mmbt5401-h.pdf
MMBT5401 SOT-23 PNP Transistors321.BaseFeatures 2.Emitter1 3.Collector High Voltage TransistorsPb-Free Packages are Available Simplified outline(SOT-23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -160 VCollector-emitter voltage VCEO -150 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current-continuous IC -0.6 ACollector P
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
