MRF2947AT2 Todos los transistores

 

MRF2947AT2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF2947AT2
   Código: WU
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.188 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.42 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

 Búsqueda de reemplazo de MRF2947AT2

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MRF2947AT2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  motorola
 mrf2947at1 mrf2947at2 mrf2947rat1 mrf2947rat2.pdf pdf_icon

MRF2947AT2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

 7.1. Size:181K  motorola
 mrf2947rev0.pdf pdf_icon

MRF2947AT2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BF252 | 2N337

 

 
Back to Top

 


 
.