MRF2947RAT2 Todos los transistores

 

MRF2947RAT2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF2947RAT2
   Código: XR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.188 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 9000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.42 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 75
   Paquete / Cubierta: SOT363
 

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MRF2947RAT2 Datasheet (PDF)

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 mrf2947at1 mrf2947at2 mrf2947rat1 mrf2947rat2.pdf pdf_icon

MRF2947RAT2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

 6.1. Size:181K  motorola
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MRF2947RAT2

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

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History: BF317 | BC828-40

 

 
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