MRF338 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MRF338

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 470 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 95 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: CASE333-04

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MRF338 datasheet

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MRF338

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF338/D The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor MRF338 Designed primarily for wideband large signal output and driver amplifier stages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz Characteristics Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 7.3 dB Efficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHz CONTR

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