MRF338 Todos los transistores

 

MRF338 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MRF338
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 470 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: CASE333-04
 

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MRF338 Datasheet (PDF)

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MRF338

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF338/DThe RF LineNPN Silicon RF Power TransistorMRF338Designed primarily for wideband largesignal output and driver amplifierstages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz CharacteristicsOutput Power = 80 WattsMinimum Gain = 7.3 dBEfficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHzCONTR

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MRF338

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF338/DThe RF LineNPN Silicon RF Power TransistorMRF338Designed primarily for wideband largesignal output and driver amplifierstages in the 400 to 512 MHz frequency range. Specified 28 Volt, 470 MHz CharacteristicsOutput Power = 80 WattsMinimum Gain = 7.3 dBEfficiency = 50% (Min) 80 W, 400 to 512 MHzCONTR

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History: MT9002 | 40236 | RN1108MFV | MJH10012 | RN1110F | BF463BA | PZT158

 

 
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