2SC3356-T93-R-K . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SC3356-T93-R-K
Código: R25_R24_R23
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 7000(typ) MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SC3356-T93-R-K
2SC3356-T93-R-K Datasheet (PDF)
2sc3356-sc1-r-r 2sc3356-sf3-r-r 2sc3356-sd3-r-r 2sc3356-t93-r-k.pdf
2SC3356 (NPN) High-Frequency Amplifier Transistor 1TO-92 3FEATURES 2* SOT231Low noise and high gain. NF=1.1dB Typ. f=1.0 GHz Ga=11dB Typ.@Vce=10V,Ic=7mA3* High power gain. 21MAG=13dB Typ.@Vce=10V,Ic=20mAf=1.0 GHz SOT-23-3L321SOT-5231:B 2:E 3:C
2sc3356-r25.pdf
2SC3356-R25Silicon Epitaxial Planar Transistor Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC3356-R25 FEATURES Low noise and high gain. NF=1.1dB TYP.,Ga=11dB TYP. @VCE=10V,IC=7mA, f=1.0GHz High power gain. MAG=13dB TYP. @VCE=10V,IC=20mA,f=1.0GHz. APPLICATIONS SOT-23 Designed for low noise amplifier at VHF,UHF and CATV band. ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package C
2sc3356-r23 2sc3356-r24 2sc3356-r25 2sc3356-r26.pdf
2SC3356NPN Transistors3Features2Low noise and high gain.1. GateNF = 1.1 dB Typ., Ga = 11 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz2. Source13. DrainHigh power gain.MAG = 13 dB Typ. @VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz Simplified outline(SOT23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 20 VCollector to emitter
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: KSD568 | 2SC3267Y
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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