GT13003Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT13003Y

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.65 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 21 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 19

Encapsulados: TO252

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GT13003Y datasheet

 ..1. Size:806K  cn shunye
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GT13003Y

GT13003Y High Voltage And High Speed Switching Transistors TO-252 0.094(2.38) 0.264(6.70) Features 0.087(2.20) 0.256(6.50) 0.022(0.56) 0.215(5.46) 0.018(0.46) 0.202(5.13) 2 =1.65A =800V 0.055(1.40) 0.031(0.80) 0.244(6.20) 0.236(6.00) 0.051(1.30) 0.409(10.40) 0.004(0.10) 0.043(1.10) 0.386( 9.80) MAX. 1 2 3 0.114(2.90) 0.067(1.70) REF. 0.055(1.40) 0.032(0.81) 0.022(0

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GT13003Y

GOFORD GT130N03D5 N-Channel Enhancement Mode PowerMOSFET Description The GT130N03D5 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. General Features VDS 30V Schematic Diagram ID (at VGS = 10V) 115A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.2. Size:708K  goford
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GT13003Y

GOFORD GT130N03D5 N-Channel Enhancement Mode PowerMOSFET Description The GT130N03D5 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) in a wide variety of applications. General Features VDS 30V Schematic Diagram ID (at VGS = 10V) 115A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... 2SC3356-SF3-R-R, 2SC3356-T93-R-K, 2SC4083PWT1G, 2SD1628-E, 2SD1628-F, 2SD1628-G, C945H, C945L, B647, L8550HQ, MMBT2222A-H, MMBT2222A-L, MMBT2907A-H, MMBT2907A-L, MMBT3904-H, MMBT3904J, MMBT3904-L