MMBT2222A-L Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMBT2222A-L

Código: 1P

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 75 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT23

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MMBT2222A-L datasheet

 ..1. Size:930K  cn salltech
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MMBT2222A-L

 ..2. Size:795K  cn shandong jingdao microelectronics
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MMBT2222A-L

Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT2222A MMBT2222A SOT-23 NPN TRANSISTOR 3 FEATURES Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available(MMBT2907A) 1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 2 Symbol Parameter Value Unit 1.BASE Collector Base Voltage VCBO 75 V 2.EMITTER Collector Emitte

 ..3. Size:1943K  wpmtek
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MMBT2222A-L

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MMBT2222A-L

Small Signal Transistor MMBT2222A-G (NPN) RoHS Device Features SOT-23 -NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and amplifier application. 0.118(3.00) 0.110(2.80) 3 Mechanical data 0.055(1.40) 0.047(1.20) -Case SOT-23, molded plastic. 1 2 0.079(2.00) 0.071(1.80) -Terminals solderable per MIL-STD-750, method 2026. 0.006(0.15) 0.003(0.08) -Approx. weight 0

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