29012H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 29012H
Código: 2T1
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de 29012H
29012H datasheet
s9012l 29012h.pdf
S9012 S9012 S9012 S9012 S9 0 12 TRANSISTOR(PNP) FEATURES High Collector Current SOT-23 Complementary To S9013 Excellent hFE Linearity 1 BASE 2 EMITTER MARKING 2T1 3 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO -40 V Collector-Base Voltage VCEO -25 V Collector-Emitter Voltage VEBO Emitter-Base Voltage -5
Otros transistores... SS8050J , SS8050L , SS8550H , SS8550J , SS8550L , SS8550-Y2-H , SS8550-Y2-J , SS8550-Y2-L , TIP35C , 2SC4617Q , 2SC4617R , 2SC4617S , 3DD13003F6 , B772E , B772Q , D882E , MMBT3904N3 .
History: SS8550-Y2-H | 2N4912SM | SS8050J | S9014-L
History: SS8550-Y2-H | 2N4912SM | SS8050J | S9014-L
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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