BA16P25A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BA16P25A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 200 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 500(max) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO-3PLT
- Selección de transistores por parámetros
BA16P25A Datasheet (PDF)
ba16n25a ba16p25a.pdf

Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA16N25A(NPN) BA16P25A(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =250V (min) High collector voltageV =250V (min) CEO CEONPN-PNP Complementary NPN
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2SC2618 | TI615 | BU931ZT | MMBTSC1623Y | 2N5380 | FMBA06 | 2SD489
History: 2SC2618 | TI615 | BU931ZT | MMBTSC1623Y | 2N5380 | FMBA06 | 2SD489



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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