2SA1327Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1327Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 11 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO218
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2SA1327Y datasheet
2sa1327.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1327 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High current capacity APPLICATIONS Strobe flash applications Audio power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
2sa1327.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1327 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.5V(Max.)@I = -8A CE(sat) C High DC Current Gain- hFE= 70(Min.)@ I = -8A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Strobe flash applications. Audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB
Otros transistores... 2SA1321 , 2SA1322 , 2SA1323 , 2SA1324 , 2SA1325 , 2SA1326 , 2SA1327 , 2SA1327O , 2SA1943 , 2SA1328 , 2SA1328O , 2SA1328Y , 2SA1329 , 2SA1329O , 2SA1329Y , 2SA133 , 2SA1330 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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