2SA1327Y Todos los transistores

 

2SA1327Y . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1327Y
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 11 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO218
 

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2SA1327Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:175K  toshiba
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2SA1327Y

 7.2. Size:202K  jmnic
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2SA1327Y

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1327 DESCRIPTION With TO-220Fa package Low collector saturation voltage High current capacity APPLICATIONS Strobe flash applications Audio power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter 2 Collector3 BaseAbsolute maximum ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SA1327Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1327DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.5V(Max.)@I = -8ACE(sat) CHigh DC Current Gain-: hFE= 70(Min.)@ I = -8ACMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSStrobe flash applications.Audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

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History: RT2P04M | 2SA812M8

 

 
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