2SA1357O Todos los transistores

 

2SA1357O . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1357O
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 170 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 62 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SA1357O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:176K  toshiba
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2SA1357O

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2SA1357O

2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat)Features: High I ,low V . CCE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO

 7.3. Size:211K  inchange semiconductor
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2SA1357O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1357DESCRIPTIONHigh Collector Current-I = -5.0ACDC Current Gain-: h = 70(Min)@I = -4AFE CLow Saturation Voltage: V = -1.0V(Max)@I = -4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSStrobe flash applications.Audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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