2SA1357Y Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1357Y
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 170 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 62 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO126
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2SA1357Y datasheet
2sa1357 3ca1357.pdf
2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , Purpose Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat) Features High I ,low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO
2sa1357.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1357 DESCRIPTION High Collector Current-I = -5.0A C DC Current Gain- h = 70(Min)@I = -4A FE C Low Saturation Voltage V = -1.0V(Max)@I = -4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Strobe flash applications. Audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI
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History: 2SA1359Y | 2SA1355 | MGT108G
History: 2SA1359Y | 2SA1355 | MGT108G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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