Справочник транзисторов. 2SA1357Y

 

Биполярный транзистор 2SA1357Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1357Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SA1357Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1357Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:176K  toshiba
 2sa1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

 7.2. Size:251K  lzg
 2sa1357 3ca1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :, Purpose: Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat)Features: High I ,low V . CCE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO

 7.3. Size:211K  inchange semiconductor
 2sa1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1357DESCRIPTIONHigh Collector Current-I = -5.0ACDC Current Gain-: h = 70(Min)@I = -4AFE CLow Saturation Voltage: V = -1.0V(Max)@I = -4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSStrobe flash applications.Audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BC526A

 

 
Back to Top

 


 
.