2SA1357Y - описание и поиск аналогов

 

2SA1357Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1357Y

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 62 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SA1357Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1357Y даташит

 7.1. Size:176K  toshiba
 2sa1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

 7.2. Size:251K  lzg
 2sa1357 3ca1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

2SA1357(3CA1357) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , Purpose Strobe flash applications, audio power amplifier applications. I V C CE(sat) Features High I ,low V . C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO

 7.3. Size:211K  inchange semiconductor
 2sa1357.pdf pdf_icon

2SA1357Y

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1357 DESCRIPTION High Collector Current-I = -5.0A C DC Current Gain- h = 70(Min)@I = -4A FE C Low Saturation Voltage V = -1.0V(Max)@I = -4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Strobe flash applications. Audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1353F, 2SA1354, 2SA1355, 2SA1356, 2SA1356O, 2SA1356Y, 2SA1357, 2SA1357O, BC556, 2SA1358, 2SA1358O, 2SA1358Y, 2SA1359, 2SA1359O, 2SA1359Y, 2SA136, 2SA1360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.