2SA1565 Todos los transistores

 

2SA1565 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1565
   Material: Si
   Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
   Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
   Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
   Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: SPA
 
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2SA1565 Datasheet (PDF)

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Ordering number:EN2261APNP Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1562High-hFE AF Amplifier ApplicationsApplications Package Dimensions AF amplifier, various drivers. unit:mm2045BFeatures [2SA1562] Adoption of MBIT process. High DC current gain. Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO.1 : Base2 : Collector3 :

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