2SA1565 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1565 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.21
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 200 typ MHz
Capacitancia de salida (Cc): 5.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 70
Encapsulados: SPA
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2SA1565 datasheet
2sa1562.pdf
Ordering number EN2261A PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1562 High-hFE AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions AF amplifier, various drivers. unit mm 2045B Features [2SA1562] Adoption of MBIT process. High DC current gain. Large current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High VEBO. 1 Base 2 Collector 3
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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