2SA1633 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1633
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO247
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2SA1633 datasheet
2sa1633.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1633 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation High Current Capacity Complement to Type 2SC4278 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For audio and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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