105NU70 Todos los transistores

 

105NU70 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 105NU70
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.6 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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105NU70 datasheet

 0.1. Size:166K  tesla
 101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf pdf_icon

105NU70

 9.1. Size:169K  onsemi
 efc4k105nuz.pdf pdf_icon

105NU70

EFC4K105NUZ Power MOSFET for 1 2 Cells Lithium ion Battery Protection 22 V, 3.55 mW, 25 A, Dual N-Channel www.onsemi.com This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device is suitable for applications such as power switches of portable VSSS RSS(ON) MAX IS MAX machines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications. 22 V 3.55 mW @ 4.5 V 25 A Features 3

 9.2. Size:551K  sino
 apm1105nu.pdf pdf_icon

105NU70

APM1105NU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 100V/16A, RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5V G ESD Protected Top View of TO-252-3 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications Power Management in TV Inverter. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

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