Биполярный транзистор 105NU70 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 105NU70
Тип материала: Ge
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO1
105NU70 Datasheet (PDF)
101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf
efc4k105nuz.pdf
EFC4K105NUZPower MOSFETfor 12 Cells LithiumionBattery Protection22 V, 3.55 mW, 25 A, Dual N-Channelwww.onsemi.comThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceis suitable for applications such as power switches of portableVSSS RSS(ON) MAX IS MAXmachines. Best suited for 1-2 cells lithium-ion battery applications.22 V 3.55 mW @ 4.5 V 25 AFeatures3
apm1105nu.pdf
APM1105NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/16A,RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5VG ESD ProtectedTop View of TO-252-3 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Information
Другие транзисторы... 100DA025D , 100T2 , 101NU70 , 102NU70 , 103NU70 , 104NU70 , 104T2 , 105NU70 , TIP41 , 1074GE , 107NU70 , 108T2 , 109T2 , 111T2 , 111T2-18 , 121-1003 , 121-1019 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050