2SA192 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA192 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO44
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2SA192 datasheet
2sa1923.pdf
2SA1923 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications Unit mm High voltage VCEO = -400 V Low saturation voltage V = -1 V (max) CE (sat) (I = -100 mA, I = -10 mA) C B Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -400 V Collector-emitter voltage VCEO -400 V Emitter-b
Otros transistores... 2SA189, 2SA18H, 2SA19, 2SA190, 2SA1907, 2SA1908, 2SA1909, 2SA191, 2SC2383, 2SA193, 2SA194, 2SA195, 2SA1958, 2SA196, 2SA1967, 2SA1968, 2SA197
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: 3N100
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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