2SA192 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA192
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.08 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.015 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 80 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO44
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2SA192 Datasheet (PDF)
2sa1923.pdf
2SA1923 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA1923 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -400 V Low saturation voltage: V = -1 V (max) CE (sat)(I = -100 mA, I = -10 mA) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -400 VCollector-emitter voltage VCEO -400 VEmitter-b
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2N782 | 2SB481 | 2SD2385 | 2SD2390 | 2SD338-1 | FTD2097 | 2SC2757T34
History: 2N782 | 2SB481 | 2SD2385 | 2SD2390 | 2SD338-1 | FTD2097 | 2SC2757T34
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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