2SA47 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA47
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
Tensión colector-base (Vcb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.025 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO5
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SA47
2SA47 Datasheet (PDF)
2sa473.pdf
2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun
Otros transistores... 2SA463 , 2SA464 , 2SA465 , 2SA466 , 2SA467 , 2SA467G , 2SA468 , 2SA469 , 2N3904 , 2SA470 , 2SA471 , 2SA472 , 2SA473 , 2SA473G , 2SA473O , 2SA473R , 2SA473Y .
History: 2SD1406 | 2SC3017 | DSA4G01 | MSD42T1G | RN2969FE | 2SD1979 | NB021FT
History: 2SD1406 | 2SC3017 | DSA4G01 | MSD42T1G | RN2969FE | 2SD1979 | NB021FT
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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