2SA470 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA470

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.055 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 75

Encapsulados: TO1

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2SA470 datasheet

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2SA470

2SA473 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SC1173 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -30 V Collector-Emitter Voltage VCEO -30 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 10 W Jun

 9.2. Size:221K  inchange semiconductor
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2SA470

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