2SA505 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA505

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (ft): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 40 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 40

Paquete / Cubierta: X104-1

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2SA505 Datasheet (PDF)

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isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO

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VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

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Liste

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