Справочник транзисторов. 2SA505

 

Биполярный транзистор 2SA505 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA505

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: X104-1

Аналоги (замена) для 2SA505

 

 

2SA505 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  toshiba
2sa496 2sa505.pdf

2SA505 2SA505

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 ..2. Size:214K  inchange semiconductor
2sa505.pdf

2SA505 2SA505

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO

 9.1. Size:306K  vishay
vs-fa72sa50lc.pdf

2SA505 2SA505

VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

Другие транзисторы... 2SA503 , 2SA503G , 2SA503O , 2SA503Y , 2SA504 , 2SA504G , 2SA504O , 2SA504Y , A42 , 2SA505O , 2SA505R , 2SA505Y , 2SA506 , 2SA507 , 2SA508 , 2SA509 , 2SA509G .

 

 
Back to Top