2SA509GTM Todos los transistores

 

2SA509GTM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA509GTM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SA509GTM Datasheet (PDF)

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2SA509GTM

VS-FA72SA50LCwww.vishay.comVishay SemiconductorsPower MOSFET, 72 AFEATURES Fully isolated package Easy to use and parallel Low on-resistance Dynamic dV/dt rating Fully avalanche rated Simple drive requirements Low gate charge deviceSOT-227 Low drain to case capacitance Low internal inductance UL approved file E78996 Designed for

 9.3. Size:214K  inchange semiconductor
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2SA509GTM

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA505DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -50V (Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-V = -0.8V (Max.)@ I = -500mACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for medium power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBO

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History: GFT21R | GS112D | BDS28A | 3DD2901 | BC559CTA | BD633 | 2SB262

 

 
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