2SA617 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA617
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 30
Encapsulados: TO18
Búsqueda de reemplazo de 2SA617
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SA617 datasheet
2sa614.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA614 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -55V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.5V (Max.)@ I = -1A CE(sat) C Collector Power Dissipation- P = 25W@ T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplif
Otros transistores... 2SA61, 2SA610, 2SA611, 2SA612, 2SA613, 2SA614, 2SA615, 2SA616, 2N2222A, 2SA617K, 2SA618, 2SA618K, 2SA620, 2SA621, 2SA622, 2SA623, 2SA624
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet
