2SA617 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA617

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SA617

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA617 даташит

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
 2sa614.pdf pdf_icon

2SA617

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA614 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -55V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.5V (Max.)@ I = -1A CE(sat) C Collector Power Dissipation- P = 25W@ T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplif

Другие транзисторы: 2SA61, 2SA610, 2SA611, 2SA612, 2SA613, 2SA614, 2SA615, 2SA616, 2N2222A, 2SA617K, 2SA618, 2SA618K, 2SA620, 2SA621, 2SA622, 2SA623, 2SA624