2SA635 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA635
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO202
- Selección de transistores por parámetros
2SA635 Datasheet (PDF)
2sa635.pdf

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA635DESCRIPTIONWith TO-202 packageHigh current capabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSPower amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -60 VCBOV Collector-Emitter Voltage -6
2sa633.pdf

Power Transistors www.jmnic.com2SA633 Silicon PNP Transistors B C E Features With TO-202 package Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage 30 V VCEO Collector to emitter voltage 30 V VEBO Emitter to base voltage 5.0 V IB Base collector current A IC Collector current 2.0 A PC Collector power dissipation 10 W Tj Jun
2sa634.pdf

Power Transistors www.jmnic.com 2SA634 Silicon PNP Transistors B C E Features With TO-220 package Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage 40 V VCEO Collector to emitter voltage 40 V VEBO Emitter to base voltage 5.0 V IB Base collector current A IC Collector current 3.0 A PC Collector power dissipation 10 W Tj Ju
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB
History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet