2SA645 Todos los transistores

 

2SA645 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA645
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 70 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 35 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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2SA645 Datasheet (PDF)

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2SA645

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min.)(BR)CEOWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

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History: NB012EL | MJE2101 | 2SC387 | KSD5059 | BC338-01 | BC131B | 2SA5153

 

 
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