2SA645 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA645

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W

Tensión colector-base (Vcb): 70 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 35 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TO202

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2SA645 datasheet

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Transistors 2SA642

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2SA645

Transistors 2SA643

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2SA645

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA648 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -120V(Min.) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

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