2SA669 Todos los transistores

 

2SA669 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA669
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SA669 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  1
 2sa661.pdf pdf_icon

2SA669

 9.2. Size:145K  jmnic
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2SA669

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(

 9.3. Size:198K  inchange semiconductor
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA669

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.3V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CComplement to Type 2SC793Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: ASZ20N | DTA208 | NA21HG | T2580

 

 
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