2SA671B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA671B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO220

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2SA671B datasheet

 8.1. Size:116K  mospec
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2SA671B

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 8.2. Size:159K  jmnic
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2SA671B

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA671 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1061 Low collector saturation voltage Note type 2SA670 with short pin APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified o

 8.3. Size:205K  inchange semiconductor
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2SA671B

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA671 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max)@ I = -2.0A CE(SUS) C DC Current Gain h = 35-320@ I = -0.5A FE C Complement to Type 2SC1061 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM

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