2SA671C Todos los transistores

 

2SA671C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA671C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SA671C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:116K  mospec
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2SA671C

AAA

 8.2. Size:159K  jmnic
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2SA671C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA671 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1061 Low collector saturation voltage Note:type 2SA670 with short pin APPLICATIONS Designed for use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified o

 8.3. Size:205K  inchange semiconductor
 2sa671.pdf pdf_icon

2SA671C

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA671DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max)@ I = -2.0ACE(SUS) CDC Current Gain: h = 35-320@ I = -0.5AFE CComplement to Type 2SC1061Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low frequency power amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM

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History: KSA733L | 2SD1763A | MJD200T4G

 

 
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