2SA709 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA709  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 160

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2SA709 datasheet

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2SA709

Transistors 2SA709

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2SA709

Transistors 2SA708

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2SA709

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA700 DESCRIPTION High Collector Current -I = -1.5A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -35V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

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