2SA796 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA796
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 45000
Encapsulados: TO92
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2SA796 datasheet
2sa794.pdf
Power Transistors 2SA0794 (2SA794), 2SA0794A (2SA794A) Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency output driver Unit mm 8.0+0.5 0.1 3.2 0.2 Complementary to 2SC1567, 2SC1567A 3.16 0.1 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO Optimum for the driver stage of low-frequency and 40 W to 100 W output amplifier TO-126B package which requi
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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