2SA850 Todos los transistores

 

2SA850 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA850
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 135 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 130
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SA850 datasheet

 9.1. Size:72K  rohm
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2SA850

2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S 2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.2 3) Complements the 2SC1741S. Structure 0.15 0.45+ 0.05 - Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.4 0.45+ 0.15 2.5+ 0.1 0.5 - 0.05 - 5

 9.2. Size:101K  rohm
 2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf pdf_icon

2SA850

Transistors Medium Power Transistor (*32V, *0.5A) 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Large IC. ICMax. = *500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K / 2SC1741S / 2SC4097. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-86-B11) 204 Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FAbsolute maxim

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