2SA857 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA857
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 150 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
Paquete / Cubierta: TO92
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2SA857 Datasheet (PDF)
2sa854s.pdf
2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit : mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.23) Complements the 2SC1741S. Structure 0.150.45+ 0.05-Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.40.45+ 0.152.5+ 0.1 0.5 - 0.05 -5
2sa1036k 2sa1577 2sa854s 2sa854 2sa1036k 2sa1577.pdf
TransistorsMedium Power Transistor(*32V, *0.5A)2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Large IC.ICMax. = *500mA2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltageoperation.3) Complements the 2SC2411K /2SC1741S / 2SC4097.FStructureEpitaxial planar typePNP silicon transistor(96-86-B11)204Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854SFAbsolute maxim
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