2SA859 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA859

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO92

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2SA859 datasheet

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2SA859

2SA854S Transistors Medium Power Transistor (-32V, -0.5A) 2SA854S External dimensions (Unit mm) Features 1) Large IC. ICMAX. = -500mA 2SA854S 2) Low VCE(sat). Idea for low-voltage operation. 4 0.2 2 0.2 3) Complements the 2SC1741S. Structure 0.15 0.45+ 0.05 - Epitaxial planar type PNP silicon transistor 0.4 0.45+ 0.15 2.5+ 0.1 0.5 - 0.05 - 5

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2SA859

Transistors Medium Power Transistor (*32V, *0.5A) 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FFeatures FExternal dimensions (Units mm) 1) Large IC. ICMax. = *500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC2411K / 2SC1741S / 2SC4097. FStructure Epitaxial planar type PNP silicon transistor (96-86-B11) 204 Transistors 2SA1036K / 2SA1577 / 2SA854S FAbsolute maxim

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