2SA970BL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA970BL  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 350

Encapsulados: TO92

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2SA970BL datasheet

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2SA970BL

2SA970 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA970 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit mm Low noise NF = 3dB (typ.) RG = 100 , V = -6 V, I = -100 A, CE C f = 1 kHz NF = 0.5dB (typ.) R = 1 k , V = -6 V, I = -100 A, G CE C f = 1 kHz High DC current gain h = 200 700 FE High breakdown voltage V = -120 V CEO

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2SA970BL

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2SA970BL

2SA970 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features , , Low noise, high DC current gain, high breakdown voltage. / Applications Low noise audio amplifier applications.

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