2SA970BL Todos los transistores

 

2SA970BL . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA970BL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 350
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SA970BL Datasheet (PDF)

 8.1. Size:321K  toshiba
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2SA970BL

2SA970 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA970 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm Low noise: NF = 3dB (typ.) RG = 100 , V = -6 V, I = -100 A, CE C f = 1 kHz : NF = 0.5dB (typ.) R = 1 k, V = -6 V, I = -100 A, G CE C f = 1 kHz High DC current gain: h = 200~700 FE High breakdown voltage: V = -120 V CEO

 8.2. Size:537K  jilin sino
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2SA970BL

PNP PNP Epitaxial Silicon Transistor R2SA970 (PNP) APPLICATIONS Low noise audio amplifier applications FEATURES V =-120V (min) High collector voltageV =-120V (min) CEO CEO 2SC2240 Complementary 2SC2240 High DC current gain

 8.3. Size:971K  blue-rocket-elect
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2SA970BL

2SA970 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features ,,Low noise, high DC current gain, high breakdown voltage. / Applications Low noise audio amplifier applications.

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