2SB1016O Todos los transistores

 

2SB1016O Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB1016O

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 270 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SB1016O datasheet

 7.1. Size:168K  toshiba
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2SB1016O

 7.2. Size:69K  wingshing
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2SB1016O

 7.3. Size:213K  jmnic
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2SB1016O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1016 DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

 7.4. Size:217K  inchange semiconductor
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2SB1016O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1016 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0 V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1407 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

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History: 2N5346 | STA475A | 2N508 | 2SA99 | BSP33 | 2SC4579 | STA481A

 

 

 

 

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