2SB1016O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1016O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1016O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1016O даташит

 7.1. Size:168K  toshiba
 2sb1016a.pdf pdf_icon

2SB1016O

 7.2. Size:69K  wingshing
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

 7.3. Size:213K  jmnic
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1016 DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

 7.4. Size:217K  inchange semiconductor
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1016 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0 V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1407 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB1012, 2SB1012K, 2SB1013, 2SB1014, 2SB1015, 2SB1015O, 2SB1015Y, 2SB1016, TIP41, 2SB1016R, 2SB1016Y, 2SB1017, 2SB1017O, 2SB1017R, 2SB1017Y, 2SB1018, 2SB1018O