2SB1016O - описание и поиск аналогов

 

2SB1016O - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SB1016O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB1016O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1016O - технические параметры

 7.1. Size:168K  toshiba
 2sb1016a.pdf pdf_icon

2SB1016O

 7.2. Size:69K  wingshing
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

 7.3. Size:213K  jmnic
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1016 DESCRIPTION With TO-220Fa package High breakdown voltage Low collector saturation voltage Complement to type 2SD1407 APPLICATIONS Power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Co

 7.4. Size:217K  inchange semiconductor
 2sb1016.pdf pdf_icon

2SB1016O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1016 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -2.0 V(Max)@I = -4A CE(sat) C Good Linearity of h FE Complement to Type 2SD1407 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB1012 , 2SB1012K , 2SB1013 , 2SB1014 , 2SB1015 , 2SB1015O , 2SB1015Y , 2SB1016 , TIP41 , 2SB1016R , 2SB1016Y , 2SB1017 , 2SB1017O , 2SB1017R , 2SB1017Y , 2SB1018 , 2SB1018O .

 

 
Back to Top

 


 
.